UG4SC 750 V 8.4mΩ组合FET

安森美UG4SC 750V 8.4mΩ组合FET在单个TO-247-4L封装中集成了750V SiC JFET和低压Si MOSFET。该设计可实现常闭开关，同时受益于超低导通电阻[RDS (on)]和常开SiC JFET的稳健性。安森美UG4SC组合FET系列非常适合用于电路保护中的高能量开关。对于开关模式电源转换，该器件可单独访问JFET和MOSFET，从而增强速度控制并简化多个器件并联。

结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
Vds-漏源极击穿电压
Vgs-栅源极击穿电压
Vgs=0时的漏-源电流
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
onsemi JFET UG4SC075005L8S
数据表
1,793库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi JFET 750V/9MOCOMBO-FETG4TO247-4
数据表
577库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4
数据表
345库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4
数据表
558库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube