结果: 4
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
配置
Vds-漏源极击穿电压
Vgs-栅源极击穿电压
Vgs=0时的漏-源电流
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
onsemi JFET 750V/6MOCOMBO-FETG4TO2
数据表
165库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET UG4SC075005L8S
数据表
1,122库存量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi JFET 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
数据表
555库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 750V/11MOCOMBO-FETG4TO
数据表
558库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube