GCMX 1200 V SiC MOSFET半桥模块

SemiQ GCMX 1200V SiC MOSFET半桥模块具有低开关损耗、低结至外壳热阻，并且非常坚固且易于安装。此系列模块直接安装散热片（隔离式封装），并包含一个开尔文基准，以实现稳定运行。所有零件均经过严格测试，可耐受1350V以上的电压。该模块的一项出色特性是其稳健的1200V漏源电压。GCMX半桥模块的工作结温为175°C，符合RoHS指令。典型应用包括光伏逆变器、电池充电器、储能系统和高压DC-DC转换器。

结果: 9
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
SemiQ MOSFET模块 SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module
数据表
34库存量
最低： 1
倍数： 1
: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 383 A 4.4 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 1.154 kW GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET模块 SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module
数据表
交货期 3 周
最低： 1
倍数： 1
: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 102 A 19 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 385 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET模块 1200V, 3mohm, 625A SiC MOSFET Half Bridge Module
数据表
15预期 2026/9/21
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount S3 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 625 A 5.5 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 2.113 kW GCMX Bulk
SemiQ MOSFET模块 SiC 1200V 3mohm MOSFET S7 Half-Bridge Module
数据表

GCMX Bulk
SemiQ MOSFET模块 1200V, 5mohm SiC MOSFET Half Bridge Module
数据表

SiC Screw Mount S3 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 424 A 7 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 1.531 kW GCMX Bulk
SemiQ MOSFET模块 SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module
数据表

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 348 A 4.9 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 1.042 kW GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET模块 SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
数据表

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 214 A 9 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ MOSFET模块 SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
数据表

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 173 A 9 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 577 W GCMX Reel
SemiQ MOSFET模块 1200V, 40mohm SiC MOSFET Half Bridge Module
数据表

SiC Press Fit B2 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 217 W GCMX Bulk