DMT31M8LFVWQ 30V N沟道增强模式MOSFET

Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N沟道增强模式MOSFET采用热效率高的小尺寸封装，具有低导通电阻特性。这些器件具有卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。Diodes Inc. DMT31M8LFVWQ MOSFET采用PowerDI®3333-8封装，带有可润湿侧，以改善光学检测。

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
数据表
3,000库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43.1 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
数据表

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 138 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43.1 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement Reel