NSVT5551MR6T1G

Name: onsemi NSVT5551MR6T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVT5551MR6T1G
Price: 6.66 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NSVT5551MR6T1G

制造商编号：

NSVT5551MR6T1G

制造商：

onsemi

说明：

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER

寿命周期:

新产品:

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数据表:

NSVT5551MR6T1G 数据表

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数量	单价	总价
	¥7.5258	¥7.53
	¥4.6782	¥46.78
	¥3.0397	¥303.97
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥3.0397	¥9,119.10

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TSOT-23-6
晶体管极性:	NPN
配置:	Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:	160 V
集电极—基极电压 VCBO:	180 V
发射极 - 基极电压 VEBO:	6 V
Pd-功率耗散:	700 mW
增益带宽产品fT:	300 MHz
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	NSVT5551M
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
集电极连续电流:	600 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min:	80 at 1 mA, 5 V
产品类型:	BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors

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数据表

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Material Composition Disclosure

合规代码

USHTS:: 8541210075
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 马来西亚

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NSVT5551M双极晶体管

安森美 (onsemi) NSVT5551M双极晶体管通过了AEC-Q101认证，是一款NPN通用型低V_CE(sat) 放大器。这款NPN双极晶体管具有匹配的芯片，存放温度范围为-55°C至150°C。NSVT5551M BJT无铅、无卤素、无BFR，符合 RoHS 标准。这款晶体管通常用于许多不同的应用。