STD12N60DM2AG

Name: STMicroelectronics STD12N60DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD12N60DM2AG
Price: 23.35 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STD12N60DM2AG

制造商编号：

STD12N60DM2AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

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¥-.--

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥26.3855	¥26.39
	¥17.1195	¥171.20
	¥12.5769	¥1,257.69
	¥10.5881	¥5,294.05
	¥10.2604	¥10,260.40
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥8.5993	¥21,498.25
	¥7.9665	¥39,832.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	10 A
Rds On-漏源导通电阻:	440 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	14.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	110 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	MDmesh
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	9.5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8 ns
系列:	STD12N60DM2AG
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	30 ns
典型接通延迟时间:	15 ns
单位重量:	330 mg

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PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

STD12N60DM2AG N通道功率MOSFET

STMicroelectronics STD12N60DM2AG N通道功率MOSFET是MDmesh™ DM2快速恢复二极管的组成部分。该款汽车级N通道功率MOSFET具有极低恢复电荷 (Q_rr) 和极短恢复时间 (t_rr) 以及低R_DS(on)。STD12N60DM2AG功率MOSFET具有低栅极电荷、低输入电容、低导通电阻、高dv/dt耐受性及齐纳保护功能。该功率MOSFET适用于要求极为苛刻的高效转换器，并且是桥式拓扑和ZVS相移转换器的理想之选。