STD12N60DM2AG

STMicroelectronics
511-STD12N60DM2AG
STD12N60DM2AG

制造商：

说明：
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
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2,383
预期 2026/11/27
生产周期：
18
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥28.1257 ¥28.13
¥18.2834 ¥182.83
¥12.656 ¥1,265.60
¥10.5881 ¥5,294.05
¥10.0118 ¥10,011.80
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥9.1869 ¥22,967.25
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
650 V
10 A
440 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
14.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 9.5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns
系列: STD12N60DM2AG
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 330 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

STD12N60DM2AG N通道功率MOSFET

STMicroelectronics STD12N60DM2AG N通道功率MOSFET是MDmesh™ DM2快速恢复二极管的组成部分。该款汽车级N通道功率MOSFET具有极低恢复电荷 (Qrr) 和极短恢复时间 (trr) 以及低RDS(on)。STD12N60DM2AG功率MOSFET具有低栅极电荷、低输入电容、低导通电阻、高dv/dt耐受性及齐纳保护功能。该功率MOSFET适用于要求极为苛刻的高效转换器，并且是桥式拓扑和ZVS相移转换器的理想之选。

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