结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
数据表
36库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC Press Fit Module N-Channel 900 V 154 A 14 mOhms - 8 V, + 18 V - 40 C + 150 C 328 W NXH010P90MNF1 Tray
onsemi MOSFET模块 PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P90MNF1 Tray