NXH010P90MNF1 SiC模块
安森美半导体 NXH010P90MNF1 SiC模块在F1模块中包含一个10mΩ 900V SiC MOSFET半桥和一个NTC 热敏电阻。该模块的推荐栅极电压为15 V至18 V。NXH010P90MNF1在较高电压和低热阻下具有改进的RDS (ON) 。
安森美半导体 NXH010P90MNF1 SiC模块在F1模块中包含一个10mΩ 900V SiC MOSFET半桥和一个NTC 热敏电阻。该模块的推荐栅极电压为15 V至18 V。NXH010P90MNF1在较高电压和低热阻下具有改进的RDS (ON) 。