GANSPIN612半桥GaN电机驱动器
STMicroelectronics GANSPIN612半桥GaN电机驱动器是一款先进的电源系统级封装(SiP),集成两个增强模式GaN晶体管,采用半桥配置,由最先进的高压高频栅极驱动器驱动。集成的功率GaN其RDS(ON)为270mΩ,漏源击穿电压为650V,而集成的自举二极管可轻松为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。
STMicroelectronics GANSPIN612半桥GaN电机驱动器是一款先进的电源系统级封装(SiP),集成两个增强模式GaN晶体管,采用半桥配置,由最先进的高压高频栅极驱动器驱动。集成的功率GaN其RDS(ON)为270mΩ,漏源击穿电压为650V,而集成的自举二极管可轻松为嵌入式栅极驱动器的高侧供电。