GP3D050B170B

Name: SemiQ GP3D050B170B
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3D050B170B
Price: 159.02 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

148-GP3D050B170B

制造商编号：

GP3D050B170B

制造商：

SemiQ

说明：

碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2

数据表:

GP3D050B170B 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	SemiQ
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-2
配置:	Single
If - 正向电流:	50 A
Vrrm - 重复反向电压:	1.7 kV
Vf - 正向电压:	2.27 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	360 A
Ir - 反向电流 :	42 uA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Vr - 反向电压 :	1.7 kV
封装:	Tube
商标:	SemiQ
Pd-功率耗散:	789 W
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	30
子类别:	Diodes & Rectifiers

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数据表

GP3D050B170B 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

GP3D050B170B QSiC™ 1700V碳化硅肖特基二极管

SemiQ GP3D050B170B QSiC™ 1700V碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用TO-247-2L封装，设计用于满足开关模式电源、不间断电源 (UPS)、太阳能逆变器和电动汽车 (EV) 充电站等应用的尺寸和功率需求。该分立式二极管具有零反向恢复电流和近零开关损耗，以及可降低冷却需求的增强型热管理。这样即可实现高效、高性能设计，最大限度地降低系统散热，从而使用较小的散热器来节省空间和成本。GP3D050B170B模块还支持简单的并行配置，以增强电源应用的灵活性和可扩展性。SemiQ GP3D050B170B QSiC 1700V碳化硅肖特基二极管支持在-55°C至+175°C工作结温范围内快速开关。

SiC Schottky Discrete Diodes

SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes feature near-zero switching loss and reduced heat dissipation, increasing efficiency and requiring smaller heatsinks. The SiC Schottky Discrete Diodes are easy to parallel with fast, temperature-independent switching. The SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes are designed for solar inverters, power supplies, motor drives, and charging station applications.