GP3D050B170B

SemiQ
148-GP3D050B170B
GP3D050B170B

制造商:

说明:
碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2

寿命周期:
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¥-.--
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数量 单价
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¥151.646 ¥151.65
¥121.4185 ¥1,214.19
¥104.9205 ¥12,590.46
25,020 报价

产品属性 属性值 选择属性
SemiQ
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
Through Hole
TO-247-2
Single
50 A
1.7 kV
2.27 V
360 A
42 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
商标: SemiQ
Pd-功率耗散: 789 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 30
子类别: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压 : 1.7 kV
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

GP3D050B170B QSiC™ 1700V碳化硅肖特基二极管

SemiQ GP3D050B170B QSiC™ 1700V碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用TO-247-2L封装,设计用于满足开关模式电源、不间断电源 (UPS)、太阳能逆变器和电动汽车 (EV) 充电站等应用的尺寸和功率需求。该分立式二极管具有零反向恢复电流和近零开关损耗,以及可降低冷却需求的增强型热管理。这样即可实现高效、高性能设计,最大限度地降低系统散热,从而使用较小的散热器来节省空间和成本。GP3D050B170B模块还支持简单的并行配置,以增强电源应用的灵活性和可扩展性。SemiQ GP3D050B170B QSiC 1700V碳化硅肖特基二极管支持在-55°C至+175°C工作结温范围内快速开关。

SiC Schottky Discrete Diodes

SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes feature near-zero switching loss and reduced heat dissipation, increasing efficiency and requiring smaller heatsinks. The SiC Schottky Discrete Diodes are easy to parallel with fast, temperature-independent switching. The SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes are designed for solar inverters, power supplies, motor drives, and charging station applications.