QPD1035 GaN射频功率晶体管

Qorvo  QPD1035 GaN射频功率晶体管是40W分立式碳化硅基氮化镓HEMT,工作频率范围为直流至6GHz,工作采用50V电源。Qorvo  QPD1035晶体管具有输入预匹配,因此非常适合用于脉冲和连续波操作中的宽带放大器。这些器件不含铅,符合RoHS指令。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散
Qorvo GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz, Flanged 90库存量
最低: 1
倍数: 1
: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 30W, DC - 6GHz 45库存量
最低: 1
倍数: 1
: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W