RV5x040小信号MOSFET

ROHM Semiconductor RV5x040小信号MOSFET采用小型DFN1616封装,具有低导通电阻。RV5x040具有±4.0A连续漏极电流和1.5W功率耗散。ROHM RV5x040小信号MOSFET设计用于开关和负载开关应用。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
ROHM Semiconductor MOSFET DFN1616 P-CH 20V 4A 5,976库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-1616-8 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 85 mOhms - 8 V, 0 V 1 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET DFN1616 P-CH 12V 4A 5,960库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-1616-8 P-Channel 1 Channel 12 V 4 A 62 mOhms - 8 V, 0 V 1 V 16 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel