SVD5867NLT4G-UM

Name: onsemi SVD5867NLT4G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-SVD5867NLT4G-UM
Price: 9.96 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-SVD5867NLT4G-UM

制造商编号：

SVD5867NLT4G-UM

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43MOHM

寿命周期:

新产品:

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数据表:

SVD5867NLT4G-UM 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	22 A
Rds On-漏源导通电阻:	39 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	15 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	43 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	2.4 ns
正向跨导 - 最小值:	8 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	12.6 ns
系列:	NVD5867NL
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	18.2 ns
典型接通延迟时间:	6.5 ns

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数据表

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PCN

Product Change Notification 2026-6-3 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 越南
扩散国家:: 中国台湾

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVD5867NL单N沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NVD5867NL单N通道功率MOSFET的漏源电压为60V，最大漏源导通电阻为39mΩ。该N沟道MOSFET具有低R_DS(on)，可将导通损耗降至最低，同时兼具大电流能力。NVD5867NL N通道MOSFET符合雪崩能量规格要求，通过AEC-Q101认证，并支持PPAP。这款N通道MOSFET无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令。典型应用包括汽车电磁阀/继电器驱动器、汽车灯驱动器、汽车电机驱动器、汽车DC-DC转换器输出驱动器以及汽车信息娱乐系统。