DXTN69060C 60V NPN超低VCE(SAT)晶体管

Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN超低_VCE(SAT) 晶体管采用专有结构，可实现超低_VCE(SAT) 性能和较低工作温度，从而最大限度地降低热管理需求，同时提高长期可靠性。Diodes Incorporated DXTN69060C的规格包括超过60V的击穿电压（_BVCEO）、5.5A的集电极连续电流，以及小于45mV（1A时）的低饱和电压。该晶体管具有典型值为24mΩ的大电流_RCE(sat) 、高达6A的hFE特性、2W的功耗以及存储时间短的快速开关，设计用于在大功率应用中实现高效可靠的性能。