AgileSAIR®相臂SiC MOSFET功率模块

Microsemi/Microchip AgileSwitch®相臂SiC (碳化硅) MOSFET功率模块采用SiC MOSFET和SiC二极管，因此兼具两款器件的优势。这些电源模块采用极低电感SP6LI封装，最大杂散电感为3nH。这些SP6LI电源模块有1200V和1700V型号可供选择，外壳温度(TC)为+80°C。SP6LI封装具有更高功率密度和紧凑外形，因此可减少并联模块数量，从而实现完整的系统，帮助设计人员进一步缩小器件尺寸。

结果: 8
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数量 RoHS ECAD模型 产品
类型
技术
Vf - 正向电压
Vr - 反向电压
Vgs - 栅极-源极电压
安装风格
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 125 C
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.8 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 175 C
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

MOSFET-SiC SBD Modules MOSFET / SiC SBD SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V SMD/SMT SP6 - 40 C + 125 C
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 2
倍数： 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 1.2 kV - 10 V, + 25 V Screw Mount - 55 C + 175 C
Microchip Technology 分立半导体模块 PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 2
倍数： 1

MOSFET-SiC SBD Modules Full Bridge SiC 1.5 V 700 V - 10 V, + 25 V Screw Mount - 40 C + 125 C