BUK9Q N沟道沟槽MOSFET

Nexperia BXK9Q29-60A N沟道沟槽MOSFET是一种采用沟槽MOSFET技术的增强模式场效应晶体管(FET),采用小型SOT8002-3(MLPAK33)SMD塑料封装。这款N沟道MOSFET具有逻辑极兼容,开关速度快,完全符合AEC-Q101标准,工作温度为175°C。BXK9Q29-60A沟槽MOSFET具有60V最大漏源电压、84A最大峰值漏极电流和27W最大总耗散功率。这款N沟道MOSFET的典型漏极-源极导通电阻为23.7mΩ,最大非重复性漏极-源极雪崩能量为25mJ,最大非重复性雪崩电流为15.8A。BXK9Q29-60A沟槽MOSFET符合欧盟/中国RoHS标准。典型应用包括LED灯、开关电路和DC-DC转换。

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
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3,250在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.6 mOhms 20 V 2.05 V 38 nC - 55 C + 175 C 84 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product. 360库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product. 437库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 62 A 7 mOhms 20 V 2.05 V 23 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET The factory is currently not accepting orders for this product. 360库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET BUK9Q20-40H/SOT8002/MLPAK33 102库存量
3,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT MLPAK33-WF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 28 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 8.5 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape
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Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET BUK9Q12-40H/SOT8002/MLPAK33

Si SMD/SMT MLPAK33-WF-8 N-Channel 1 Channel 40 V 41 A 17.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 13 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement Reel, Cut Tape