FF450R33T3E3/_B5 XHP™ 3 IGBT模块

英飞凌科技FF450R33T3E3/_B5 XHP™ 3 IGBT模块是一个3.3kV、450A双绝缘栅极双极晶体管模块，具有TRENCHSTOP™ IGBT3和发射器控制二极管。高度集成的XHP IGBT模块专门设计用于大功率运行，涵盖IGBT芯片3.3kV至6.5kV的完整电压范围。 共享相同紧凑的140mm x 100mm x 40mm尺寸，这些IGBT模块可实现扩展设计，具有业内一流的可靠性和高功率密度。FF450R33T3E3B5 IGBT模块具有10.4kV的增强隔离度。

结果: 2
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
封装
Infineon Technologies IGBT 模块 3300 V, 450 A dual IGBT module
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 3.3 kV 2.5 V 450 A 400 nA 1 MW AG-XHP100-3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 XHP HV
数据表
无库存交货期 13 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 3.3 kV 2.5 V 450 A 400 nA 1 MW AG-XHP100-6 - 40 C + 150 C Tray