QPD2562L

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Mouser编号：

772-QPD2562L

制造商编号：

QPD2562L

制造商：

Qorvo

说明：

GaN 场效应晶体管 Next-gen long-pulse S-band GaN Discrete

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

QPD2562L 数据表 (PDF)

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	GaN 场效应晶体管
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格:	Flange Mount
封装 / 箱体:	NI-650-4
Id-连续漏极电流:	12 A
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
Pd-功率耗散:	190 W
最大工作频率:	3.3 GHz
最小工作频率:	2.5 GHz
技术:	GaN-on-SiC
商标:	Qorvo
开发套件:	QPD2562LEVB01
增益:	16 dB
输出功率:	274 W
产品:	Transistors
产品类型:	GaN FETs
系列:	QPD2562L
子类别:	Transistors
晶体管类型:	HEMT

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数据表

QPD2562L 数据表 (PDF)

合规代码

USHTS:: 8542330001
ECCN:: 3A001.b.3.a.3

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

QPD2562L GaN射频功率晶体管

Qorvo QPD2562L GaN射频功率晶体管是一款200W至300W分立GaN-on-SiC HEMT，工作频率范围为2.5GHz至2.9GHz和2.9GHz至3.3GHz，输出功率分别为55.4dBm/53dBm（典型值）。该器件具有饱和输出功率，大信号增益分别为13dB和50%/45%，漏极效率分别为50%/45%。