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SIZF906BDT-T1-GE3

Name: Vishay SIZF906BDT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZF906BDT-T1-GE3
Price: 20.2 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SIZF906BDT-T1-GE3

制造商编号：

SIZF906BDT-T1-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET PPAIR6X5 2NCH 30V 36A

数据表:

SIZF906BDT-T1-GE3 数据表

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥22.826	¥22.83
	¥14.803	¥148.03
	¥10.17	¥1,017.00
	¥8.2603	¥4,130.15
	¥7.6388	¥7,638.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥6.7461	¥20,238.30

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAIR-6x5F-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	105 A, 257 A
Rds On-漏源导通电阻:	680 uOhms, 2.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 16 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.2 V
Qg-栅极电荷:	25 nC, 81 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	38 W, 83 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Dual
下降时间:	5 ns, 10 ns
正向跨导 - 最小值:	93 S, 170 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5 ns, 30 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	22 ns, 40 ns
典型接通延迟时间:	12 ns, 20 ns
单位重量:	337.318 mg

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数据表

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CNHTS:: 8504409100
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiZF906BDT双N沟道 (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix SiZF906BDT双N沟道 (D-S) MOSFET是一款SkyFET^®低侧MOSFET，集成有肖特基。TrenchFET^® Gen IV功率MOSFET采用PowerPAIR 6x5F封装，100%经过Rg和UIS测试。Vishay/Siliconix SiZF906BDT双MOSFET非常适合用于CPU内核电源、计算机/服务器外设、POL、同步降压转换器和电信直流/直流应用。