STGWA30M65DF2AG

STMicroelectronics
511-STGWA30M65DF2AG
STGWA30M65DF2AG

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
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¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥36.725 ¥36.73
¥25.2329 ¥252.33
¥18.7806 ¥2,253.67
¥15.7183 ¥8,016.33
¥13.6504 ¥13,923.41

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
2.02 V
20 V
87 A
441 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q101
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 57 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBTs
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
单位重量: 6.100 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT设计采用获得专利的先进沟槽式栅极场终止型结构。STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG为逆变器提供最佳系统性能和效率平衡，具有低损耗和必要的短路功能。该器件符合AEC-Q101标准，最高结温为+175°C，短路耐受时间为6μs，30A时VCE(sat) 低至1.7V，参数分布紧密。该器件还包括软、快速恢复反向并联二极管和低热阻，采用TO-247长引线封装。

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