单N通道40V Dual-Cool®功率MOSFET

安森美半导体功率单N通道40V Dual-Cool®功率MOSFET具有超低漏源导通电阻 (RDS(on)),可最大限度地降低导通损耗。漏极-源极电压 (VDSS) 为40V,栅极-源极电压 (VGS) 为±20V。应用包括交流-直流和直流-直流电源中的同步整流器、电机开关和负载开关。NTMFSC0D9N04CL N通道MOSFET具有较低的电容和封装电感,采用双面冷却封装。

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
onsemi MOSFET 80V T10 IN 5X6 DUAL COOL PACKAGE 4,706库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms 20 V 3.6 V 63 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN 5X6 DUAL COOL PACKAGE 1,206库存量
3,000预期 2026/5/8
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 310 A 780 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 72 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL 2,839库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 313 A 850 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 61 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 80V T10 IN 5X6 DUAL COOL PACKAGE
10,637在途量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 154 A 2.6 mOhms 20 V 3.6 V 45 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 60V T6 IN 5X6 DUAL COOL PACKAGE 无库存交货期 17 周

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 238 A 1.5 mOhms 20 V 4 V 65 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement PowerTrench Reel