单N通道40V Dual-Cool®功率MOSFET

安森美半导体功率单N通道40V Dual-Cool®功率MOSFET具有超低漏源导通电阻 (RDS(on)),可最大限度地降低导通损耗。漏极-源极电压 (VDSS) 为40V,栅极-源极电压 (VGS) 为±20V。应用包括交流-直流和直流-直流电源中的同步整流器、电机开关和负载开关。NTMFSC0D9N04CL N通道MOSFET具有较低的电容和封装电感,采用双面冷却封装。

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
onsemi MOSFET 60V T6 IN 5X6 DUAL COOL PACKAGE 3,896库存量
9,000在途量
剪切带
¥30.0241
¥17.4585
¥13.56
¥11.2548
¥11.0853
卷轴
¥11.0853
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,100
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 60 V 238 A 1.5 mOhms 20 V 4 V 65 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T10M IN 5X6 DUAL COOL PACKAGE 344库存量
3,000预期 2027/8/20
剪切带
¥25.4815
¥14.803
¥11.3339
¥10.5881
¥8.9383
卷轴
¥8.0343
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 310 A 780 uOhms 20 V 3.5 V 72 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 80V T10 IN 5X6 DUAL COOL PACKAGE 23,004库存量
剪切带
¥30.6908
¥15.4697
¥13.9781
¥11.413
¥11.3339
卷轴
¥11.3339
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,428
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms 20 V 3.6 V 63 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 40V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL 4,113库存量
9,000在途量
剪切带
¥24.3967
¥12.0797
¥10.3395
¥8.7688
¥8.3507
卷轴
¥7.8196
最低: 1
倍数: 1
最大: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 313 A 850 uOhms 20 V 2 V 61 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 80V T10 IN 5X6 DUAL COOL PACKAGE
18,000在途量
剪切带
¥25.9674
¥15.0516
¥11.5825
¥9.3451
¥9.1869
卷轴
¥9.1869
最低: 1
倍数: 1
最大: 1,800
: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 154 A 2.6 mOhms 20 V 3.6 V 45 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape