950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

英飞凌科技950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET采用超级结 (SJ) 技术。SJ技术先进、易用，具有同类最佳的性能，非常适合用于照明和工业SMPS应用。PFDJ集成了超快体二极管，可用于具有最低反向恢复电荷 (Qrr) 的谐振拓扑。

结果: 10
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
2,000库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
958库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
531库存量
1,000预期 2027/1/28
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
228库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 74.7 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 315 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
475库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 13.9 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
500库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
469库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8.7 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 155 C 31 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
数据表
435库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
1,200预期 2026/5/4
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
数据表
1,000预期 2026/4/9
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape