NGWx沟槽式场终止型IGBT

Nexperia NGWx沟槽场阻隔离栅双极晶体管 (IGBT) 采用第三代技术，结合了载流子存储沟槽栅和场阻 (FS) 结构。额定温度高达175°C，IGBT具有优化的IGBT关断损耗和5μ秒短路耐受时间。这些硬开关600V和30A IGBT专为高压、低频工业逆变器和伺服电机驱动应用而优化。

结果: 10
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
封装
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW60T65M3DFP/SOT429/TO-247
数据表
239库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 30

Si TO-247-3 SMD/SMT Single 650 V 1.45 V 20 V 80 A 431 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW75T65H3DF/SOT429/TO-247
数据表
303库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V 80 A 600 W - 40 C + 175 C
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW40T65H3DFP/SOT429/TO-247
数据表
225库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 30

Si TO-247-3 Through Hole SIngle 650 V 1.7 V 20 V 72 A 275 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW50T65M3DFP/SOT429/TO-247
数据表
244库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 30

Si TO-247-3 SMD/SMT Single 650 V 1.46 V 20 V 80 A 368 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW75T65H3DFP/SOT429/TO-247
数据表
243库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 30

Si TO-247-3 SMD/SMT Single 650 V 1.68 V 20 V 80 A 502 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW50T65H3DFP/SOT429/TO-247
数据表
448库存量
最低： 1
倍数： 1

TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.72 V 80 A 340 W - 40 C + 175 C
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW40T65M3DFP/SOT429/TO-247
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V 72 A 283 W - 40 C + 175 C
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW30T65M3DFP/SOT429/TO-247
数据表

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V 20 V 57 A 199 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW40T65H3DHP/SOT429/TO-247
数据表

Si TO-247-3 SMD/SMT Single 650 V 1.69 V 20 V 72 A 275 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW75T65M3DFP/SOT429/TO-247
数据表

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.49 V 20 V 80 A 529 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel