NGWx沟槽式场终止型IGBT

Nexperia NGWx沟槽式场终止型绝缘栅极双极晶体管(IGBT)为第三代技术与载流子存储沟槽栅极及场终止型(FS)结构相结合的创新成果。该款IGBT的额定温度高达175°C,具有优化过的IGBT关断损耗,短路耐受时间为5μs。该款硬开关600V和30A IGBT经过精心优化,非常适合用于高压低频工业功率逆变器和伺服电机驱动应用。

结果: 10
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 封装
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW40T65H3DFP/SOT429-2/TO247-3 230库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 30

Si TO-247-3 Through Hole SIngle 650 V 1.7 V 20 V 72 A 275 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW60T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3 239库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 30

Si TO-247-3 SMD/SMT Single 650 V 1.45 V 20 V 80 A 431 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW50T65H3DFP/SOT429-2/TO247-3 450库存量
最低: 1
倍数: 1

TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.72 V 80 A 340 W - 40 C + 175 C
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW40T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3 450库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V 72 A 283 W - 40 C + 175 C
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW75T65H3DFP/SOT429-2/TO247-3 245库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 30

Si TO-247-3 SMD/SMT Single 650 V 1.68 V 20 V 80 A 502 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW75T65H3DF/SOT429-2/TO247-3L
480预期 2026/3/17
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V 80 A 600 W - 40 C + 175 C
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW30T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V 20 V 57 A 199 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW40T65H3DHP/SOT429-2/TO247-3

Si TO-247-3 SMD/SMT Single 650 V 1.69 V 20 V 72 A 275 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW50T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3

Si TO-247-3 SMD/SMT Single 650 V 1.46 V 20 V 80 A 368 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 绝缘栅双极晶体管(IGBT) NGW75T65M3DFP/SOT429-2/TO247-3

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.49 V 20 V 80 A 529 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel