2EDL900G3XTMA1

Infineon Technologies
726-2EDL900G3XTMA1
2EDL900G3XTMA1

制造商：

说明：
栅极驱动器 120 V Level shifter gate driver

寿命周期:
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产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
TSNP-16
2 Output
4 V
16 V
- 40 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
工作电源电流: 3.5 mA
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 5000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
商标名: EiceDRIVER
零件号别名: 2EDL900G3 SP006165917
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数据表

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合规代码
CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
德国
组装原产国/地区:
泰国
扩散国家:
德国
发货时，国家/地区可能会发生变化。

EiceDRIVER™ 2EDL90xG3栅极驱动器

英飞凌EiceDRIVER™ 2EDL90xG3栅极驱动器专为在同一PCB上可实现氮化镓 (GaN) 和硅 (Si) 功率设计而设计。这些120V统一封装的栅极驱动器驱动双通道低侧、双通道高侧或半桥配置的Si MOSFET或增强型GaN晶体管。2EDL90xG3模块包括两个完全浮动的输出栅极驱动器，对于开关电容器和多电平拓扑它们尤其有用。五种可配置的输入模式可以由一个简单的下电阻器进行选择，包括三态单PWM模式、HSCC LS模式、HSCC HS模式、Hi/Li模式和Hi/Li反相模式。英飞凌EiceDRIVER 2EDL90xG3栅极驱动器采用16引脚3mm x 3mm封装，并按JEDEC 47/20/22标准通过了工业应用的认证。

EiceDRIVER™栅极驱动器IC

Infineon EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC设计用于MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT器件。EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供0.1A至10A的各种典型输出电流选项。这些器件具有稳健栅极驱动器保护功能，如快速短路保护（DESAT）、有源米勒钳位、击穿保护、故障、关断以及过流保护。这些特性使这些驱动器IC非常适合用于硅和宽带隙功率器件，包括CoolGaN™ 和CoolSiC™ 。因此，英飞凌提供超过500种EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC解决方案，适用于任何电源开关和任何应用。

库存量: 3,364

库存：
3,364 可立即发货
生产周期：
36 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥17.3681 ¥17.37
¥12.8255 ¥128.26
¥11.7407 ¥293.52
¥10.509 ¥1,050.90
¥9.9214 ¥2,480.35
¥9.5146 ¥4,757.30
¥9.266 ¥9,266.00
¥9.0174 ¥22,543.50
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
¥8.8479 ¥44,239.50

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