STP65N150M9

STMicroelectronics
511-STP65N150M9
STP65N150M9

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
完成您的设计

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解STMicroelectronics STP65N150M9详情

库存量: 113

库存：
113 可立即发货
生产周期：
16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥32.5892 ¥32.59
¥21.3457 ¥213.46
¥15.7183 ¥1,571.83
¥13.899 ¥6,949.50
¥11.9102 ¥11,910.20
¥11.2548 ¥22,509.60

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
150 mOhms
- 30 V, 30 V
3.2 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
140 W
Enhancement
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
系列: MDmesh M9
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M9 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET具有增强器件结构、低导通电阻和低栅极电荷值。这些功率MOSFET具有高反向二极管dv/dt和MOSFET dv/dt稳健性、大功率密度和低导通损耗。MDmesh M9功率MOSFET还具有高开关速度、高效率和低开关功率损耗。这些功率MOSFET设计采用创新的高压超级结技术，具有出色的品质因数 (FoM)。高FoM可实现更高的功率水平和密度，从而实现更紧凑的解决方案。典型应用包括服务器、电信数据中心、5G电源站、微逆变器和快速充电器。

STP65N150M9功率MOSFET

STMicroelectronics STP65N150M9功率MOSFET基于超级结MDmesh M9技术。该器件适合用于中/高压MOSFET，具有非常低的单位面积RDS(on)。基于硅的M9技术得益于多漏极制造工艺，实现了增强型器件结构。组装的产品在所有硅基快速开关超级结功率MOSFET中具有低导通电阻和低栅极电荷值。因此，该器件非常适合用于需要出色功率密度和出色效率的应用。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。