STP65N150M9

STMicroelectronics
511-STP65N150M9
STP65N150M9

制造商：

说明：
MOSFET N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
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数量 单价
总价
¥36.6459 ¥36.65
¥22.826 ¥228.26
¥17.5376 ¥1,753.76
¥15.3002 ¥7,650.10
¥14.3962 ¥14,396.20
¥13.7295 ¥27,459.00
¥13.3227 ¥66,613.50

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
150 mOhms
- 30 V, 30 V
3.2 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
140 W
Enhancement
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
系列: MDmesh M9
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

MDmesh™ M9 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET具有增强器件结构、低导通电阻和低栅极电荷值。这些功率MOSFET具有高反向二极管dv/dt和MOSFET dv/dt稳健性、大功率密度和低导通损耗。MDmesh M9功率MOSFET还具有高开关速度、高效率和低开关功率损耗。这些功率MOSFET设计采用创新的高压超级结技术，具有出色的品质因数 (FoM)。高FoM可实现更高的功率水平和密度，从而实现更紧凑的解决方案。典型应用包括服务器、电信数据中心、5G电源站、微逆变器和快速充电器。

STP65N150M9功率MOSFET

STMicroelectronics STP65N150M9功率MOSFET基于超级结MDmesh M9技术。该器件适合用于中/高压MOSFET，具有非常低的单位面积RDS(on)。基于硅的M9技术得益于多漏极制造工艺，实现了增强型器件结构。组装的产品在所有硅基快速开关超级结功率MOSFET中具有低导通电阻和低栅极电荷值。因此，该器件非常适合用于需要出色功率密度和出色效率的应用。

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