STP80N1K1K6

STMicroelectronics
511-STP80N1K1K6
STP80N1K1K6

制造商:

说明:
MOSFET N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

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库存量: 1,062

库存:
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单价:
¥-.--
总价:
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数量 单价
总价
¥19.6846 ¥19.68
¥12.7351 ¥127.35
¥8.6897 ¥868.97
¥6.9156 ¥3,457.80
¥6.4862 ¥6,486.20
¥5.8873 ¥11,774.60
¥5.5257 ¥27,628.50

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Tube
商标: STMicroelectronics
产品类型: MOSFETs
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET采用MDmesh K6技术,利用了20年的超级结技术经验。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面积导通电阻和栅极电荷。该器件非常适用于高功率密度和高效应用。

N沟道MDmesh K6功率MOSFET

STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET具有齐纳保护和100%雪崩测试。这些功率MOSFET的汲极/源极击穿电压最小为800V,±30V栅极/源极电压,工作结温范围为-55°C至150°C。MDmesh K6功率MOSFET还具有5V/ns峰值二极管恢复电压斜坡、100A/µs峰值二极管恢复电流斜坡以及120V/ns MOSFET dv/dt的坚固性。典型应用包括笔记本电脑和一体机、反激式转换器、平板电脑适配器和LED灯。