MirrorBit Eclipse 闪存

Cypress  / S29GL512GT MirrorBit® Eclipse™ 闪存具有 15ns 的快速页面访问时间。 相应的随机存取时间快达 100ns。 它具有写入缓冲器，可在一次操作中最多编程 256 字/512 字节。 因此，有效编程时间比标准编程算法更快。 这一特性使得这些器件非常适合用于当今需要更高密度、更佳性能和更低功耗的嵌入式应用。
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结果: 167
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
系列
存储容量
电源电压-最小
电源电压-最大
有源读取电流（最大值）
接口类型
组织
数据总线宽度
定时类型
最小工作温度
最大工作温度
资格
封装
Infineon Technologies S29GL512T11FHIV40
Infineon Technologies NOR闪存 Nor
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1,800
倍数： 1,800

S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Tray
Infineon Technologies S29GL512T11FHIV43
Infineon Technologies NOR闪存 Nor
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1,600
倍数： 1,600
卷轴: 1,600

S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Reel
Infineon Technologies S29GL512T11TFB023
Infineon Technologies NOR闪存 IC 512 Mb FLASHMEM
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
卷轴: 1,000

SMD/SMT TSOP-56 S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S29GL512T11TFIV33
Infineon Technologies NOR闪存 IC 512 Mb FLASH MEMORY
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
卷轴: 1,000

S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Reel
Infineon Technologies S29GL512T11TFIV30
Infineon Technologies NOR闪存 IC 512 Mb FLASH MEMORY
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S29GL512T12DHVV10
Infineon Technologies NOR闪存 NOR
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 2,600
倍数： 2,600

S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Tray
Infineon Technologies S29GL512T12DHVV20
Infineon Technologies NOR闪存 NOR
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 2,600
倍数： 2,600

SMD/SMT S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S29GL512T12TFVV23
Infineon Technologies NOR闪存 IC 512 Mb FLASHMEM
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
卷轴: 1,000

SMD/SMT TSOP-56 S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies S29GL512T12TFVV10
Infineon Technologies NOR闪存 NOR
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT S29GL512T 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Asynchronous - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S29GL512T10FAI010
Infineon Technologies NOR闪存 Nor
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1
倍数： 1
否
S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Tray
Infineon Technologies S29GL512T10FAI020
Infineon Technologies NOR闪存 Nor
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1,800
倍数： 1,800
否
S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Tray
Infineon Technologies S29GL512T10FAI013
Infineon Technologies NOR闪存 Nor
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1,600
倍数： 1,600
卷轴: 1,600
否
S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Reel
Infineon Technologies S29GL512T10FAI023
Infineon Technologies NOR闪存 Nor
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1,600
倍数： 1,600
卷轴: 1,600
否
S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Reel
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV10
Infineon Technologies NOR闪存 Nor
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1
倍数： 1
否
S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Tray
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV20
Infineon Technologies NOR闪存 Nor
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1,800
倍数： 1,800
否
S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Tray
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV13
Infineon Technologies NOR闪存 Nor
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1,600
倍数： 1,600
卷轴: 1,600
否
S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Reel
Infineon Technologies S29GL512T11FAIV23
Infineon Technologies NOR闪存 Nor
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1,600
倍数： 1,600
卷轴: 1,600
否
S29GL512T 512 Mbit 60 mA 64 M x 8/32 M x 16 8 bit/16 bit Reel