EVLSTDRIVEG212

STMicroelectronics
511-EVLSTDRIVEG212
EVLSTDRIVEG212

制造商:

说明:
电源管理IC开发工具 Evaluation board for STDRIVEG212 220 V high-speed half-bridge gate driver with 2.2 mOhms, 100 V e-mode GaN HEMT

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STMicroelectronics
产品种类: 电源管理IC开发工具
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Evaluation Boards
Gate Driver
12 V
STDRIVEG212
商标: STMicroelectronics
尺寸: 56 mm x 79 mm
封装: Bulk
产品类型: Power Management IC Development Tools
工厂包装数量: 1
子类别: Development Tools
单位重量: 100 g
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已选择的属性: 0

USHTS:
8473301180
TARIC:
8473302000

EVLSTDRIVEG212 评估板

STMicroelectronics EVLSTDRIVEG212评估板易于使用、评估便捷,适用于评估STDRIVEG212在半桥配置下驱动两颗典型导通电阻为2.2mΩ、耐压100V的增强型 (emode) GaN开关的特性。STDRIVEG212是一款220V高速半桥栅极驱动器,专为5V驱动增强型GaN HEMT优化。它具有分离的大电流灌/拉栅极驱动引脚、集成LDO、欠压保护、自举二极管、高侧快速启动、过温保护、故障/关断引脚以及待机功能,并采用4mm × 5mm QFN封装,可全面支持硬开关拓扑。EVLSTDRIVEG212评估板也适用于评估STDRIVEG612的特性。