4N35光耦合器

安森美4N35光耦合器是通用型光耦合器,由驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管组成。这些光耦合器采用6引脚双列直插式封装 (DIP)。4N35光耦合器在IF = 10mA、VCE = 10V时的电流传输比极小。这些器件的工作温度范围为-55°C至+110°C。4N35光耦合器非常适合用于电源稳压器、数字逻辑输入、微处理器输入和电源监控器。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 绝缘电压 输出类型 电流传输比(最大值) If - 正向电流 Vf - 正向电压 最大集电极/发射极电压 最大集电极/发射极饱和电压 Vr - 反向电压 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
onsemi 晶体管输出光电耦合器 DIP-6 PHOTO TRANS 9,865库存量
最低: 1
倍数: 1

Through Hole PDIP-6 1 Channel 5300 Vrms NPN Phototransistor 100 mA 1.5 V 30 V 300 mV 6 V 250 mW - 55 C + 100 C 4N35 Tube
onsemi 晶体管输出光电耦合器 6PB TR T&R 739库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT PDIP-6 1 Channel 5000 Vrms 100 % 1.2 V 80 V 300 mV 6 V 200 mW - 55 C + 110 C 4N35 Reel, Cut Tape