RH7P04BBKFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RH7P04BBKFRATCB
RH7P04BBKFRATCB

制造商：

说明：
MOSFET DFN8 N CHAN 100V

寿命周期:
新产品:
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库存量: 2,065

库存：
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥19.9332 ¥19.93
¥12.8255 ¥128.26
¥8.7688 ¥876.88
¥6.9721 ¥3,486.05
¥6.4862 ¥6,486.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥5.6952 ¥17,085.60
¥5.5822 ¥33,493.20

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
100 V
40 A
13.8 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
19.8 nC
- 55 C
+ 175 C
75 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 19 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100V N沟道功率MOSFET是一款车规级MOSFET，其额定漏源电压 (VDSS) 为100V，额定漏极连续电流 (ID) 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。漏源导通电阻 [RDS(ON)] 为13.8mΩ（最大值，VGS = 10V，ID = 20A时），采用3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) 封装。ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA MOSFET非常适合用于高级驾驶辅助系统 (ADAS)、信息、照明和车身应用。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

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