SIA466EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIA466EDJ-T1-GE3
SIA466EDJ-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

数据表:
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库存量: 53,992

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¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥9.266 ¥9.27
¥5.7969 ¥57.97
¥3.7968 ¥379.68
¥2.938 ¥1,469.00
¥2.6555 ¥2,655.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥2.2939 ¥6,881.70
¥2.1922 ¥13,153.20
¥2.1018 ¥18,916.20
¥2.0566 ¥49,358.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SC-70-6
N-Channel
1 Channel
20 V
25 A
9.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
19.2 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
产品类型: MOSFETs
系列: SIA
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
找到的产品:
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiA466EDJ N 沟道 20V (D-S) MOSFET

威世 SiA466EDJ 是 N 沟道 20V (D-S) MOSFET，采用 SC-70 封装，占位面积为 2.05mm x 2.05mm。它具有典型值为 2500V 的 ESD 保护能力，并经 Rg 测试。SiA466EDJ 通常用于智能手机、移动计算、直流/直流转换器、电源管理、负载开关等。
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