SIA466EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIA466EDJ-T1-GE3
SIA466EDJ-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

数据表:
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库存量: 54,243

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¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥8.6897 ¥8.69
¥5.4127 ¥54.13
¥3.5482 ¥354.82
¥2.7346 ¥1,367.30
¥2.486 ¥2,486.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥2.147 ¥6,441.00
¥1.9775 ¥11,865.00
¥1.9097 ¥17,187.30
¥1.8419 ¥44,205.60
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SC-70-6
N-Channel
1 Channel
20 V
25 A
9.5 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
19.2 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
产品类型: MOSFETs
系列: SIA
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低RDS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

SiA466EDJ N 沟道 20V (D-S) MOSFET

威世 SiA466EDJ 是 N 沟道 20V (D-S) MOSFET，采用 SC-70 封装，占位面积为 2.05mm x 2.05mm。它具有典型值为 2500V 的 ESD 保护能力，并经 Rg 测试。SiA466EDJ 通常用于智能手机、移动计算、直流/直流转换器、电源管理、负载开关等。
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