NXH020P120MNF1 SiC模块

安森美 (onsemi)  NXH020P120MNF1碳化硅模块在F1模块中包含一个20mΩ 1200V碳化硅MOSFET半桥和一个NTC热敏电阻。该模块的推荐栅极电压为18 V至20 V。NXH020P120MNF1在更高电压下具有改进的RDS(ON)，热阻低。 

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装

onsemi MOSFET模块 SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 51 A 30 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 211 W NXH020P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET模块 SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET with TIM
数据表
无库存交货期 17 周
最低： 28
倍数： 28

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH020P120MNF1 Tray