RA1C030LDT5CL

Name: ROHM Semiconductor RA1C030LDT5CL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RA1C030LDT5CL
Price: 4.32 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

755-RA1C030LDT5CL

制造商编号：

RA1C030LDT5CL

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)

数据表:

RA1C030LDT5CL 数据表

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥4.8816	¥4.88
	¥2.9719	¥29.72
	¥1.9888	¥198.88
	¥1.5594	¥779.70
	¥1.2656	¥1,265.60
	¥1.11644	¥5,582.20
	¥0.99214	¥9,921.40
整卷卷轴（请按15000的倍数订购）
	¥0.99214	¥14,882.10

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	WLCSP-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	3 A
Rds On-漏源导通电阻:	140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 200 mV, 7 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.5 V
Qg-栅极电荷:	1.5 nC
最小工作温度:	- 50 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	JP
下降时间:	4 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6 ns
工厂包装数量:	15000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	15 ns
典型接通延迟时间:	6 ns
零件号别名:	RA1C030LD

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RA1C030LD WLCSP MOSFET

ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP MOSFET是一款N沟道MOSFET，设有低导通电阻，采用大功率封装。该器件具有20V_DSS漏极-源极电压、3A连续漏极电流以及1W功耗。RA1C030LD MOSFET具有1.8V驱动电压、高达200V (MM) 静电放电 (ESD) 保护以及高达2kV (HBM) 电压。该MOSFET适合用于开关电路、单节电池应用和移动应用。RA1C030LD MOSFET是无铅、无卤、符合RoHS指令的器件。