RA1C030LDT5CL

ROHM Semiconductor
755-RA1C030LDT5CL
RA1C030LDT5CL

制造商：

说明：
MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)

数据表:
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库存量: 26,806

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥4.0567 ¥4.06
¥3.2205 ¥32.21
¥2.0566 ¥205.66
¥1.5594 ¥779.70
¥1.2543 ¥1,254.30
¥1.11644 ¥5,582.20
¥0.9266 ¥9,266.00
整卷卷轴（请按15000的倍数订购）
¥0.91869 ¥13,780.35

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WLCSP-3
N-Channel
1 Channel
20 V
3 A
140 mOhms
- 200 mV, 7 V
1.5 V
1.5 nC
- 50 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 6 ns
工厂包装数量: 15000
子类别: Transistors
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
零件号别名: RA1C030LD
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RA1C030LD WLCSP MOSFET

ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP MOSFET是一款N沟道MOSFET，设有低导通电阻，采用大功率封装。该器件具有20VDSS漏极-源极电压、3A连续漏极电流以及1W功耗。RA1C030LD MOSFET具有1.8V驱动电压、高达200V (MM) 静电放电 (ESD) 保护以及高达2kV (HBM) 电压。该MOSFET适合用于开关电路、单节电池应用和移动应用。RA1C030LD MOSFET是无铅、无卤、符合RoHS指令的器件。

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