SI78 N沟道 (D-S) MOSFET

Vishay Semiconductors SI78 N沟道 (D-S) MOSFET采用新型低热阻PowerPAK® 封装，具有1.07mm的纤薄外形。这些N沟道 (D-S) MOSFET经过PWM优化，100%经过Rg 测试，不含卤素，符合RoHS标准。SI78 MOSFET用于直流/直流转换器、直流/直流应用的一次侧开关以及同步整流器。

结果: 29
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Vishay Semiconductors MOSFET 20V 40A 83W
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 20 V 40 A 2.25 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 98 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 20V 40A 83W 2.25mohm @ 10V
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 20 V 40 A 2.25 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 98 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 30V 25A 1.9W
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 TrenchFET Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 30V 25A 5.4W 3.6mohm @ 10V
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si TrenchFET Reel