SIHx17N80AEF系列功率MOSFET

Vishay / Siliconix SIHx17N80AEF系列功率MOSFET具有低品质因数和低有效电容。SIHx17N80AEF MOSFET降低了开关和导通损耗。Vishay/Siliconix SIHx17N80AEF系列功率MOSFET具有850V漏源电压,非常适合用于服务器和电信电源、照明和工业应用。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 15A N-CH MOSFET 1,717库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 305 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO247 800V 15A N-CH MOSFET N/A
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 305 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube