NTMFS5H663NL N沟道功率MOSFET

安森美NTMFS5H663NL N沟道功率MOSFET采用5mmx6mm紧凑型设计，具有低R_DS(on)、低Q_G 和低电容。该功率MOSFET具有60V的漏极-源极电压、±20V的栅极-源极电压、327A的脉冲漏极电流以及-55°C至150°C的工作结温和储存温度范围。NTMFS5H663NL N沟道功率MOSFET不含铅，符合RoHS指令。典型应用包括同步整流、电源、电机驱动器和电机控制开关。