SI3129DV-T1-GE3

Name: Vishay SI3129DV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI3129DV-T1-GE3
Price: 7.69 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SI3129DV-T1-GE3

制造商编号：

SI3129DV-T1-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET TSOP6 P-CH 80V 3.8A

数据表:

SI3129DV-T1-GE3 数据表

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥8.6897	¥8.69
	¥5.4466	¥54.47
	¥3.5595	¥355.95
	¥2.7572	¥1,378.60
	¥2.486	¥2,486.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.1131	¥6,339.30
	¥1.8758	¥11,254.80
	¥1.8532	¥16,678.80
	¥1.7854	¥42,849.60

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TSOP-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	5.4 A
Rds On-漏源导通电阻:	82.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	12 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	4.2 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	12 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	25 ns
典型接通延迟时间:	15 ns
单位重量:	20 mg

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si3129DV P沟道80V (D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix Si3129DV P沟道80V (D-S) MOSFET 100%经过R_g测试，采用TSOP-6单封装。Si3129DV MOSFET具有±20V栅极-源极电压和-55°C至150°C工作结温范围。Vishay/Siliconix Si3129DV P沟道80V MOSFET设计用于便携式和消费类应用的电源管理。