AFV10700GSR5

NXP Semiconductors
771-AFV10700GSR5
AFV10700GSR5

制造商：

说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V

数据表:
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¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴（请按50的倍数订购）
¥6,652.3552 ¥332,617.76

产品属性 属性值 选择属性
NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
N-Channel
Si
2.6 A
105 V
1.03 GHz to 1.09 GHz
19.2 dB
700 W
- 55 C
+ 150 C
SMD/SMT
NI-780GS-4L
Reel
商标: NXP Semiconductors
通道数量: 2 Channel
Pd-功率耗散: 526 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: AFV10700
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.3 V
零件号别名: 935362013178
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

USHTS:
8541290055
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

AFV10700H射频功率LDMOS晶体管

NXP Semiconductors AFV10700H射频功率LDMOS晶体管设计用于工作频率介于1030MHz至1090MHz的脉冲应用。LDMOS晶体管也可以在960MHz至1215MHz频段上降低功率使用。该器件适用于具有大占空比和长脉冲的国防和商业脉冲应用，如IFF、二次监视雷达、ADS-B应答器、DME和其他复杂脉冲链。

AFV10700H射频功率LDMOS晶体管基于NXP Airfast技术，并包含在紧凑型NI-780H-4L (AFV10700H) 或NI-780S-4L (AFV10700HS) 气腔型封装中，实现灵活设计。
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