AFV10700H射频功率LDMOS晶体管

NXP Semiconductors AFV10700H射频功率LDMOS晶体管设计用于工作频率介于1030MHz至1090MHz的脉冲应用。LDMOS晶体管也可以在960MHz至1215MHz频段上降低功率使用。该器件适用于具有大占空比和长脉冲的国防和商业脉冲应用，如IFF、二次监视雷达、ADS-B应答器、DME和其他复杂脉冲链。

AFV10700H射频功率LDMOS晶体管基于NXP Airfast技术，并包含在紧凑型NI-780H-4L (AFV10700H) 或NI-780S-4L (AFV10700HS) 气腔型封装中，实现灵活设计。
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