RH7L03BBKFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RH7L03BBKFRATCB
RH7L03BBKFRATCB

制造商：

说明：
MOSFET DFN8 N CHAN 40V

寿命周期:
新产品:
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ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
60 V
35 A
26.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
- 55 C
+ 175 C
33 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: SIngle
下降时间: 4.7 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 9.4 ns
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RH7L03 60V N沟道功率MOSFET是一款车规级MOSFET，其额定漏源电压 (VDSS) 为60V、额定漏极连续电流 (ID) 为±35A，符合AEC-Q101认证要求。这款MOSFET的漏源导通电阻 [RDS(ON)] 为26.4mΩ（最大值，VGS = 10V、ID = 20A时），采用3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) 封装。ROHM Semiconductor RH7L03 MOSFET非常适用于高级驾驶辅助系统（ADAS）、信息、照明及车身应用。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

库存量: 3,000

库存：
3,000 可立即发货
生产周期：
28 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥15.3906 ¥15.39
¥7.3224 ¥73.22
¥6.5314 ¥653.14
¥5.1641 ¥2,582.05
¥4.9607 ¥4,960.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥4.3957 ¥13,187.10
¥4.1471 ¥24,882.60
¥4.1358 ¥37,222.20

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