RH7L03BBKFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RH7L03BBKFRATCB
RH7L03BBKFRATCB

制造商：

说明：
MOSFET DFN8 N CHAN 40V

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解ROHM Semiconductor RH7L03BBKFRATCB详情

库存量: 2,400

库存：
2,400 可立即发货
生产周期：
16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥14.803 ¥14.80
¥9.4242 ¥94.24
¥6.2602 ¥626.02
¥5.1415 ¥2,570.75
¥4.5652 ¥4,565.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥3.8985 ¥11,695.50
¥3.842 ¥23,052.00
¥3.8081 ¥91,394.40

产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
60 V
35 A
26.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
- 55 C
+ 175 C
33 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: SIngle
下降时间: 4.7 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 9.4 ns
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RH7L03 60V N沟道功率MOSFET是一款车规级MOSFET，其额定漏源电压 (VDSS) 为60V、额定漏极连续电流 (ID) 为±35A，符合AEC-Q101认证要求。这款MOSFET的漏源导通电阻 [RDS(ON)] 为26.4mΩ（最大值，VGS = 10V、ID = 20A时），采用3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) 封装。ROHM Semiconductor RH7L03 MOSFET非常适用于高级驾驶辅助系统（ADAS）、信息、照明及车身应用。

电动汽车 (EV) 解决方案

ROHM Semiconductor电动汽车 (EV) 解决方案旨在提高先进电动汽车的效率和性能。ROHM提供针对各种解决方案的优化产品，重点是EV专用单元，如主逆变器、DC-DC转换器、车载充电器和电动压缩机。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。