IGBT7 E7 TRENCHSTOP™双配置模块

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ 双配置模块基于微图案沟槽技术，可减少损耗，提供高可控性。与方形沟槽单元格相比，该单元格概念的特点是可实现由亚微米台面分隔的平行沟槽单元格。专门优化的芯片，用于工业驱动应用和太阳能系统，具有低静态损耗、高功率密度和软开关特性。该模块的最高工作温度为+175°C，可显著提高功率密度。

结果: 10
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数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
最小工作温度
最大工作温度
封装
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 450 A dual IGBT module
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 600 A dual IGBT module
数据表
33库存量
最低： 1
倍数： 1

Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 300 A dual IGBT module
数据表
11库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 900 A dual IGBT module
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 900 A dual IGBT module
数据表
17预期 2026/12/24
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 900 A dual IGBT module
数据表
29预期 2026/12/25
最低： 1
倍数： 1
否
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 750 A dual IGBT module
数据表
4预期 2027/1/28
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 750 A dual IGBT module
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 10
倍数： 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 2300 V, 1800 A dual IGBT module
数据表
2库存量
最低： 1
倍数： 1

Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 PP IHM I
数据表

Tray