P4SMA-Q瞬态电压抑制二极管

Bourns P4SMA-Q瞬态电压抑制器二极管能够应对半导体行业开发体积更小元件的挑战。这些器件具有5.8V至214V工作电压、6.8V至250V击穿电压、400W功率耗散以及双向或单向极性。P4SMA-Q瞬态电压抑制器二极管符合JEDEC标准。这些表面贴装二极管可为电信、计算机、工业和消费类电子产品等浪涌和ESD应用提供保护。