ESD851/ESD851-Q1 ESD保护二极管
Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1双向ESD保护二极管设计用于钳位ESD和浪涌等有害瞬态。ESD851/ESD851-Q1的额定ESD冲击消散值高达 ±30kV(接触放电和气隙放电),超过了IEC 61000-4-2国际标准中规定的最高级别(4级)。对于浪涌,根据IEC 61000-4-5标准,该器件可以钳制峰值电流高达6.5A的8/20µs浪涌。
Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1双向ESD保护二极管设计用于钳位ESD和浪涌等有害瞬态。ESD851/ESD851-Q1的额定ESD冲击消散值高达 ±30kV(接触放电和气隙放电),超过了IEC 61000-4-2国际标准中规定的最高级别(4级)。对于浪涌,根据IEC 61000-4-5标准,该器件可以钳制峰值电流高达6.5A的8/20µs浪涌。