SI7454FDP-T1-RE3

Vishay / Siliconix
78-SI7454FDP-T1-RE3
SI7454FDP-T1-RE3

制造商：

说明：
MOSFET SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET

数据表:
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库存量: 17,805

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥13.4809 ¥13.48
¥8.5202 ¥85.20
¥5.6613 ¥566.13
¥4.4409 ¥2,220.45
¥4.0567 ¥4,056.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥3.5369 ¥10,610.70
¥3.4465 ¥20,679.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
100 V
23.5 A
29.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
17.4 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 最小值: 33 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

Si7454FDP N沟道100V MOSFET

Vishay/Siliconix Si7454FDP N沟道100V MOSFET是一款TrenchFET®第四代功率MOSFET，具有非常低的RDS x Qg品质因数 (FOM)。Si7454FDP具有23.5A ID 和8nC Qg。 Vishay/Siliconix Si7454FDP MOSFET采用单一PowerPAK® SO-8封装，指定工作结温和存放温度范围为-55°C至+150°C。

Si74 MOSFET

Vishay Si74 MOSFET采用TrenchFET® 技术，可降低导通电阻，确保在30V至250V范围内的可靠性和性能。N通道和P通道MOSFET按照IEC 61249-2-21规定不含卤素。这些MOSFET采用PowerPAK® 封装，热阻低，尺寸紧凑，外形纤薄(1.07mm)，非常适合用于空间和热管理至关重要的应用。

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低RDS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

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