X4级功率MOSFET

IXYS X4级功率MOSFET导通电阻和导通损耗低,效率更高。这些功率MOSFET采用PLUS封装,可实现更高的标称电流额定值和更高的功率密度。X4-Class功率MOSFET与标准TO-247封装兼容,易于从现有设计升级,以实现更高的输出功率。这些功率MOSFET具有较低的栅极电荷和较低的热阻。典型应用包括直流负载开关、电池保护、电池或运算、 电池储能系统和DC/DC升降压转换器。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
IXYS MOSFET 200V 2.65mohm 500A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS264

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 400 A 2.65 mOhms 20 V 4.5 V 535 nC - 55 C + 175 C 1.56 kW Enhancement Tube
IXYS MOSFET 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 400 A 3.3 mOhms 20 V 4.5 V 348 nC - 55 C + 175 C 1.36 kW Enhancement Tube