STGWA30M65DF2

Name: STMicroelectronics STGWA30M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA30M65DF2
Price: 8.78 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STGWA30M65DF2

制造商编号：

STGWA30M65DF2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss in a TO-247 long leads

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数量	单价	总价
	¥9.9214	¥5,952.84
	¥9.3451	¥11,214.12

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
系列:	STGWA30M65DF2
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	600
子类别:	IGBTs
单位重量:	2 g

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数据表

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PCN

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600-650V IGBT

STMicroelectronics 600-650V IGBT 为工作频率高达 100 kHz 的应用提供的最大集电极范围为 3A-150A。提供了多种版本，并带有专用内置反向并联二极管以实现设计优化。利用 ST 获得专利的标准冲压穿透 PowerMESH 技术和新引进的沟槽栅场终止技术来实现该电压范围。这些 600-650V IGBT 的目标应用包括家用电器、感应加热、光伏、UPS、焊接和照明。提供的封装选项包括 D2PAK、DPAK、SOTOP、Max247、TO-220、TO-220FP、TO-247、 TO-247 长引线和 TO-3PF。
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