OptiMOS™ 5线性FET 2 MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 5线性FET 2 MOSFET针对热插拔和电子保险丝应用进行了优化，具有极低的导通电阻RDS(on) 和宽安全工作区 (SOA) 的优异性能。这些N沟道、正常电平MOSFET经过100%的雪崩测试，可靠性高，并采用无铅引线电镀，确保符合RoHS规范。此外，根据IEC61249-2-21标准，这些MOSFET不含卤素，因此在要求苛刻的应用中非常环保。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
数据表
5,674库存量
2,000预期 2026/3/2
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 321 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 165 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
数据表
1,699库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 243 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 115 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 single N-channel Linear FET 2 100 V, 176 A in 8 mm x 8 mm footprint
数据表
12,730在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 284 A 1.7 mOhms 20 V 3.45 V 142 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel