NIV1x ESD抑制器/TVS二极管
安森美 (onsemi) NIV1x ESD抑制器/TVS二极管设计用于保护高速数据线路免受ESD以及车辆电池短路的影响。这些二极管具有超低电容和低ESD钳位电压。NIV1x二极管是保护电压敏感型高速数据线路的理想解决方案,而低RDS(on) FET可限制信号线路上的失真。这些安森美 (onsemi) 二极管包括电池短路阻断和USB VBUS 短路阻断集成MOSFET。NIV1x ESD抑制器的工作温度范围为-55°C至150°C,漏极-源极电压为30V,栅极-源极电压为±10V。这些二极管非常适合用于汽车高速信号对、USB 2.0和低压差分信号 (LVDS)。
