TO-220ACG碳化硅肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor TO-220ACG 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 的反向电压范围为650V至1200V，连续反向电流范围为1.2µA至20.0µA。这些器件采用碳化硅技术，使其能够保持低电容电荷 (QC)，从而降低开关损耗，同时实现高速开关操作。此外，与基于硅的快速恢复二极管（反向恢复时间随着温度的增加而增加）不同，碳化硅器件保持恒定特性，从而实现更佳性能。

结果: 10
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
配置
If - 正向电流
Vrrm - 重复反向电压
Vf - 正向电压
Ifsm - 正向浪涌电流
Ir - 反向电流
最大工作温度
封装
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
数据表
2,719库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 15 A 1.2 kV 1.6 V 62 A 300 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY
数据表
3,968库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 5 A 1.2 kV 1.6 V 23 A 100 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen
数据表
6,417库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 15 A 650 V 1.55 V 52 A 300 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen
数据表
1,701库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 8 A 650 V 1.55 V 30 A 160 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY
数据表
752库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 10 A 1.2 kV 1.6 V 42 A 200 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
数据表
1,391库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 20 A 1.2 kV 1.6 V 79 A 400 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 10A, 2nd Gen
数据表
770库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 10 A 650 V 1.55 V 38 A 200 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 12A, 2nd Gen
数据表
830库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 12 A 650 V 1.55 V 43 A 240 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
数据表
11库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 20 A 650 V 1.55 V 68 A 400 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor 碳化硅肖特基二极管 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen
数据表
无库存交货期 21 周

Through Hole TO-220ACG-2 Single 6 A 650 V 1.55 V 23 A 120 uA + 175 C Tube