GT20N135SRA,S1E

Name: Toshiba GT20N135SRA,S1E
Brand: Toshiba
SKU: 757-GT20N135SRA,S1E
Price: 28.18 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

757-GT20N135SRA,S1E

制造商编号：

GT20N135SRA,S1E

制造商：

Toshiba

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) DISCRET IGBT TRANSTR Vces=1350V Ic=40A

数据表:

GT20N135SRA,S1E 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Toshiba GT20N135SRA,S1E详情

库存量: 57

库存：: 57 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 24 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥31.8434	¥31.84
	¥21.7525	¥217.53
	¥18.193	¥2,183.16
	¥17.6958	¥9,024.86
	¥17.2099	¥17,554.10
	¥16.6223	¥41,888.20

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.35 kV
集电极—射极饱和电压:	2.4 V
栅极/发射极最大电压:	- 25 V, 25 V
在25 C的连续集电极电流:	40 A
Pd-功率耗散:	312 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	Toshiba
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	30
子类别:	IGBTs
单位重量:	6.150 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

GT20N135SRA,S1E 数据表 (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

GT20N135SRA硅N沟道IGBT

Toshiba GT20N135SRA硅N沟道IGBT是第6.5代IGBT，由单片方式集成到IGBT芯片中的续流二极管 (FWD) 组成。该IGBT具有1.60V低饱和电压、175°C最高工作结温以及0.25µs高速开关。GT20N135SRA硅N沟道IGBT非常适合用于电压谐振逆变器开关、软开关以及电磁炉和家用电器应用。