AFGHL75T65SQDx场终止沟槽型IGBT

安森美 (onsemi) AFGHL75T65SQDx场终止沟槽型IGBT采用场终止型第4代高速IGBT技术。安森美 (onsemi) AFGHL75T65SQDx场终止沟槽型IGBT为汽车应用中的硬开关和软开关拓扑提供最佳性能。这些IGBT具有密集参数分布、快速开关以及低导通损耗等特性。典型应用包括功率因数校正 (PFC)、硬开关、DC-DC转换器、混合动力/电动汽车 (xEV) 车载和非车载充电器，以及工业逆变器。