ZXMS6005N8 IntelliFET自保护MOSFET

Diodes Inc. ZXMS6005N8 IntelliFET自保护MOSFET设计为具有逻辑电平输入的低侧N沟道MOSFET。该设计集成了过流、过热、过压（主动钳位）和ESD保护的逻辑电平功能。这些功能使MOSFET能够在恶劣环境中抑制辐射和传导发射。设计人员可以将ZXMS6005N8 MOSFET用作从3.3V或5V微控制器驱动的通用开关。ZXMS6005N8 MOSFET提供60V连续漏源电压、200mΩ导通电阻、2.8A额定负载电流和490mJ钳位能量。凭借其各种保护功能，ZXMS6005N8 IntelliFET非常适合用于标准MOSFET可能不够坚固的恶劣环境。
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-CH. Low Side MOSFET
数据表
36,459库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 250 mOhms 1.5 V - 40 C + 150 C 1.65 W Enhancement IntelliFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET Low Side IntelliFET
数据表
无库存交货期 24 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 150 mOhms - 5 V, 5 V 700 mV - 40 C + 125 C 1.65 W Enhancement AEC-Q101 IntelliFET Reel