NGTB25N/NGTB40N隔离式栅极双极晶体管

onsemi NGTB25N 和 NGTB40N 隔离式栅极双极晶体管 (IGBT) 采用稳健的高性价比超级场终止型沟槽结构。低开关损耗和一个超快恢复二极管使其非常适合用于高频太阳能、UPS 和逆变焊机应用。该器件中包含一个具有低正向电压的柔性快速共同封装的续流二极管。
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结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT, Ultra Field Stop -1200V 40A
数据表
1,141库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 80 A 454 W - 55 C + 175 C NGTB40N120FL3 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 50 A 349 W - 55 C + 175 C NGTB25N120FL3 Tube